Infineon Technologies - IPB014N06NATMA1

KEY Part #: K6417877

IPB014N06NATMA1 Τιμολόγηση (USD) [44528τεμ]

  • 1 pcs$0.87811
  • 1,000 pcs$0.76711

Αριθμός εξαρτήματος:
IPB014N06NATMA1
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 60V 34A TO263-7.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος and Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IPB014N06NATMA1. Το IPB014N06NATMA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IPB014N06NATMA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB014N06NATMA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IPB014N06NATMA1
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : MOSFET N-CH 60V 34A TO263-7
Σειρά : OptiMOS™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 60V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 34A (Ta), 180A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 143µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 106nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 7800pF @ 30V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 3W (Ta), 214W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-TO263-7
Πακέτο / Θήκη : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • BS107P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.

  • IRFR3607TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 75V 56A DPAK.

  • IXTY2N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252.

  • TK8A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS.

  • SPA11N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3.

  • IPA65R190E6XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220.