Αριθμός εξαρτήματος :
TK7J90E,S1E
Κατασκευαστής :
Toshiba Semiconductor and Storage
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 900V TO-3PN
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
900V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
7A (Ta)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 700µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
32nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
1350pF @ 25V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
200W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
TO-3P(N)
Πακέτο / Θήκη :
TO-3P-3, SC-65-3