Αριθμός εξαρτήματος :
GSID150A120S6A4
Κατασκευαστής :
Global Power Technologies Group
Περιγραφή :
SILICON IGBT MODULES
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τάση - Κατανομή πομπού συλλέκτη (Max) :
1200V
Ρεύμα - συλλέκτης (Ic) (μέγιστο) :
275A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic :
1.9V @ 15V, 150A
Τρέχουσα - Αποκοπή συλλέκτη (Max) :
1mA
Χωρητικότητα εισόδου (Cies) @ Vce :
20.2nF @ 25V
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-40°C ~ 150°C
Τύπος συναρμολόγησης :
Chassis Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
Module