Infineon Technologies - IPU80R2K8CEBKMA1

KEY Part #: K6402751

[2595τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    IPU80R2K8CEBKMA1
    Κατασκευαστής:
    Infineon Technologies
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Μονάδες οδηγού ισχύος, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IPU80R2K8CEBKMA1. Το IPU80R2K8CEBKMA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IPU80R2K8CEBKMA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPU80R2K8CEBKMA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : IPU80R2K8CEBKMA1
    Κατασκευαστής : Infineon Technologies
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
    Σειρά : CoolMOS™
    Κατάσταση εξαρτήματος : Discontinued at Digi-Key
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 800V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 1.9A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.8 Ohm @ 1.1A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 120µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 12nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 290pF @ 100V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 42W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-TO251-3
    Πακέτο / Θήκη : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • BS170PSTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

    • DN2540N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3.

    • AUIRFR540Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N CH 100V 35A DPAK.

    • GP2M004A065CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 650V 4A DPAK.

    • GP2M004A060CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 600V 4A DPAK.

    • IRFR13N20DTRRP

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 200V 13A DPAK.