STMicroelectronics - STSJ50NH3LL

KEY Part #: K6415812

[12281τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    STSJ50NH3LL
    Κατασκευαστής:
    STMicroelectronics
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 30V 12A 8-PWRSOIC.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - JFET and Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα STMicroelectronics STSJ50NH3LL. Το STSJ50NH3LL μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το STSJ50NH3LL, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    STSJ50NH3LL Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : STSJ50NH3LL
    Κατασκευαστής : STMicroelectronics
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 30V 12A 8-PWRSOIC
    Σειρά : STripFET™
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 50A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.5 mOhm @ 6A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 12nC @ 4.5V
    Vgs (Max) : ±16V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 965pF @ 25V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 3W (Ta), 50W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 8-SOIC
    Πακέτο / Θήκη : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • FQD3P50TM

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK.

    • FDD5690

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 30A D-PAK.

    • RFD14N05SM9A

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 50V 14A DPAK.

    • FDD86113LZ

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3.

    • FDD6637

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 35V 13A DPAK.

    • FDD4141-F085

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK.