Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-30EPF12-M3

KEY Part #: K6441870

VS-30EPF12-M3 Τιμολόγηση (USD) [12145τεμ]

  • 1 pcs$3.56526
  • 10 pcs$3.22064
  • 25 pcs$3.07097
  • 100 pcs$2.66646
  • 250 pcs$2.54663
  • 500 pcs$2.32192
  • 1,000 pcs$2.02232

Αριθμός εξαρτήματος:
VS-30EPF12-M3
Κατασκευαστής:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247AC. Rectifiers New Input Diodes - TO-247-e3
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες and Θυρίστορ - SCR - Μονάδες ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Semiconductor Diodes Division VS-30EPF12-M3. Το VS-30EPF12-M3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το VS-30EPF12-M3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-30EPF12-M3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : VS-30EPF12-M3
Κατασκευαστής : Vishay Semiconductor Diodes Division
Περιγραφή : DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247AC
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος διόδου : Standard
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 1200V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 30A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1.41V @ 30A
Ταχύτητα : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : -
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 100µA @ 1200V
Χωρητικότητα @ Vr, F : -
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο / Θήκη : TO-247-2
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-247AC Modified
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -40°C ~ 150°C

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • CDBDSC3650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 3A 650V

  • CDBDSC51200-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 1200V

  • VS-30EPH06-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC. Rectifiers 30A 600V Hyperfast

  • VS-E4PU6006L-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD. Rectifiers 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • VS-60APU06PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC. Rectifiers 600 Volt 60 Amp

  • VS-60APH03-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 300V Hyperfast 28ns FRED Pt