Αριθμός εξαρτήματος :
APTGT75H60T1G
Κατασκευαστής :
Microsemi Corporation
Περιγραφή :
POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τύπος IGBT :
Trench Field Stop
Διαμόρφωση :
Full Bridge Inverter
Τάση - Κατανομή πομπού συλλέκτη (Max) :
600V
Ρεύμα - συλλέκτης (Ic) (μέγιστο) :
100A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic :
1.9V @ 15V, 75A
Τρέχουσα - Αποκοπή συλλέκτη (Max) :
250µA
Χωρητικότητα εισόδου (Cies) @ Vce :
4.62nF @ 25V
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Chassis Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
SP1