Infineon Technologies - SPD03N60C3BTMA1

KEY Part #: K6413106

[13214τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    SPD03N60C3BTMA1
    Κατασκευαστής:
    Infineon Technologies
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Μονάδες οδηγού ισχύος and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies SPD03N60C3BTMA1. Το SPD03N60C3BTMA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SPD03N60C3BTMA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SPD03N60C3BTMA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : SPD03N60C3BTMA1
    Κατασκευαστής : Infineon Technologies
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK
    Σειρά : CoolMOS™
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 650V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 3.2A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 2A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 135µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 17nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 400pF @ 25V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 38W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-TO252-3
    Πακέτο / Θήκη : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • FDB8444TS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK-5.

    • ZVN4210ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3.

    • IRLR3715ZTRL

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 49A DPAK.

    • IRLR3715ZTRR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 49A DPAK.

    • IRLR3715ZTR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 49A DPAK.

    • IRFR4105ZTRR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.