Toshiba Semiconductor and Storage - TK12P60W,RVQ

KEY Part #: K6404167

[2105τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    TK12P60W,RVQ
    Κατασκευαστής:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Μονάδες οδηγού ισχύος, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Toshiba Semiconductor and Storage TK12P60W,RVQ. Το TK12P60W,RVQ μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το TK12P60W,RVQ, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    TK12P60W,RVQ Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : TK12P60W,RVQ
    Κατασκευαστής : Toshiba Semiconductor and Storage
    Περιγραφή : MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
    Σειρά : DTMOSIV
    Κατάσταση εξαρτήματος : Active
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 600V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 11.5A (Ta)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 340 mOhm @ 5.8A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 600µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 25nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 890pF @ 300V
    FET χαρακτηριστικό : Super Junction
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 100W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : DPAK
    Πακέτο / Θήκη : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • NP60N055VUK-E1-AY

      Renesas Electronics America

      MOSFET N-CH 55V 60A TO-252.

    • NP60N04VUK-E1-AY

      Renesas Electronics America

      MOSFET N-CH 40V 60A TO-252.

    • AUIRLR024Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N CH 55V 16A DPAK.

    • AUIRFR4292

      Infineon Technologies

      MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK.

    • IRFR7440PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N CH 40V 90A DPAK.

    • TK16A60W5,S4VX

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS.