Αριθμός εξαρτήματος :
FDMS86102LZ
Κατασκευαστής :
ON Semiconductor
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 100V 7A 8-PQFN
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
100V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
7A (Ta), 22A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
22nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
1305pF @ 50V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
8-PQFN (5x6)
Πακέτο / Θήκη :
8-PowerTDFN