Αριθμός εξαρτήματος :
DMT6009LFG-13
Κατασκευαστής :
Diodes Incorporated
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
60V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
11A (Ta), 34A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
33.5nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
1925pF @ 30V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
2.08W (Ta), 19.2W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
PowerDI3333-8
Πακέτο / Θήκη :
8-PowerWDFN