Αριθμός εξαρτήματος :
FCPF190N60E
Κατασκευαστής :
ON Semiconductor
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
600V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
20.6A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
82nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
3175pF @ 25V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
39W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
TO-220F
Πακέτο / Θήκη :
TO-220-3 Full Pack