GeneSiC Semiconductor - 1N3765

KEY Part #: K6425563

1N3765 Τιμολόγηση (USD) [11842τεμ]

  • 1 pcs$3.48004
  • 100 pcs$3.37202

Αριθμός εξαρτήματος:
1N3765
Κατασκευαστής:
GeneSiC Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE GEN PURP 700V 35A DO5. Rectifiers 700V 35A Std. Recovery
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος and Θυρίστορες - TRIAC ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα GeneSiC Semiconductor 1N3765. Το 1N3765 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το 1N3765, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N3765 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : 1N3765
Κατασκευαστής : GeneSiC Semiconductor
Περιγραφή : DIODE GEN PURP 700V 35A DO5
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος διόδου : Standard
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 700V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 35A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1.2V @ 35A
Ταχύτητα : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : -
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 10µA @ 50V
Χωρητικότητα @ Vr, F : -
Τύπος συναρμολόγησης : Chassis, Stud Mount
Πακέτο / Θήκη : DO-203AB, DO-5, Stud
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : DO-5
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -65°C ~ 190°C
Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • BAS70E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3.

  • QH03BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 3A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 3A, Rectifier

  • VS-SD1100C12C

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 1400A B-43. Rectifiers 1200 Volt 1400 Amp

  • NSVR0320XV6T1G

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 23V 1A SOT563. Schottky Diodes & Rectifiers SS SCHOTTKY SOT563

  • SBAS116LT1G

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching SS SWCH DIO 75V T

  • NSVBAT54LT1G

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers SS SHKY DIO 30V TR