ON Semiconductor - FDC645N

KEY Part #: K6394026

FDC645N Τιμολόγηση (USD) [253170τεμ]

  • 1 pcs$0.14683
  • 3,000 pcs$0.14610

Αριθμός εξαρτήματος:
FDC645N
Κατασκευαστής:
ON Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 5.5A SSOT-6.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία and Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα ON Semiconductor FDC645N. Το FDC645N μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το FDC645N, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDC645N Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : FDC645N
Κατασκευαστής : ON Semiconductor
Περιγραφή : MOSFET N-CH 30V 5.5A SSOT-6
Σειρά : PowerTrench®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 5.5A (Ta)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 6.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 21nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 1460pF @ 15V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 1.6W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : SuperSOT™-6
Πακέτο / Θήκη : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει