ON Semiconductor - NRVBM120LT3G

KEY Part #: K6425487

NRVBM120LT3G Τιμολόγηση (USD) [674757τεμ]

  • 1 pcs$0.05578
  • 12,000 pcs$0.05550

Αριθμός εξαρτήματος:
NRVBM120LT3G
Κατασκευαστής:
ON Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE SCHOTTKY 20V 1A POWERMITE. Schottky Diodes & Rectifiers SURFACE MOUNT PWRMITE
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays and Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα ON Semiconductor NRVBM120LT3G. Το NRVBM120LT3G μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το NRVBM120LT3G, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NRVBM120LT3G Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : NRVBM120LT3G
Κατασκευαστής : ON Semiconductor
Περιγραφή : DIODE SCHOTTKY 20V 1A POWERMITE
Σειρά : POWERMITE®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος διόδου : Schottky
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 20V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 1A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 650mV @ 3A
Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : -
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 100µA @ 10V
Χωρητικότητα @ Vr, F : -
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : DO-216AA
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : Powermite
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -55°C ~ 125°C

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • BAS70E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3.

  • QH12BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 12A, Rectifier

  • QH03BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 3A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 3A, Rectifier

  • VS-SD1100C12C

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 1400A B-43. Rectifiers 1200 Volt 1400 Amp

  • 63SPB100A

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 100V 60A SPD-2A.

  • SBAS116LT1G

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching SS SWCH DIO 75V T