Vishay Siliconix - IRFD010

KEY Part #: K6414892

[12598τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    IRFD010
    Κατασκευαστής:
    Vishay Siliconix
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός and Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix IRFD010. Το IRFD010 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IRFD010, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFD010 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : IRFD010
    Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP
    Σειρά : -
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 50V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 1.7A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 860mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 13nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 250pF @ 25V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 1W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
    Πακέτο / Θήκη : 4-DIP (0.300", 7.62mm)

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • ZVN0545A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 450V 0.09A TO92-3.

    • IRFR3303TR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 33A DPAK.

    • IRFR3910TRL

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 16A DPAK.

    • 94-4737

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 33A DPAK.

    • 94-4007

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 35A DPAK.

    • IRFIZ24G

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP.