Vishay Semiconductor Diodes Division - GP10DE-E3/54

KEY Part #: K6458163

GP10DE-E3/54 Τιμολόγηση (USD) [916157τεμ]

  • 1 pcs$0.04260
  • 11,000 pcs$0.04239

Αριθμός εξαρτήματος:
GP10DE-E3/54
Κατασκευαστής:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL. Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Μονάδες οδηγού ισχύος, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Τρανζίστορ - JFET, Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays and Θυρίστορ - SCRs ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Semiconductor Diodes Division GP10DE-E3/54. Το GP10DE-E3/54 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το GP10DE-E3/54, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GP10DE-E3/54 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : GP10DE-E3/54
Κατασκευαστής : Vishay Semiconductor Diodes Division
Περιγραφή : DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
Σειρά : SUPERECTIFIER®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος διόδου : Standard
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 200V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 1A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1.1V @ 1A
Ταχύτητα : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 3µs
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 5µA @ 200V
Χωρητικότητα @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο / Θήκη : DO-204AL, DO-41, Axial
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : DO-204AL (DO-41)
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -65°C ~ 175°C

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • 1SS250(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High

  • SE30AFG-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 400V, ESD PROTECTION, SLIM SMA

  • SE30AFD-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 200V, ESD PROTECTION, SLIM SMA

  • SE30AFB-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFJ-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 600 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFGHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in