Vishay Semiconductor Diodes Division - 8EWF06S

KEY Part #: K6451657

[14184τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    8EWF06S
    Κατασκευαστής:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Λεπτομερής περιγραφή:
    DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - JFET, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto and Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Semiconductor Diodes Division 8EWF06S. Το 8EWF06S μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το 8EWF06S, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    8EWF06S Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : 8EWF06S
    Κατασκευαστής : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Περιγραφή : DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
    Σειρά : -
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος διόδου : Standard
    Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 600V
    Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 8A
    Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1.2V @ 8A
    Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 140ns
    Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 100µA @ 600V
    Χωρητικότητα @ Vr, F : -
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο / Θήκη : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : D-Pak
    Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -40°C ~ 150°C

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • VS-50WQ10FNTR-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

    • 30WQ10FNTR

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 100V 3.5A DPAK.

    • 8EWS08S

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK.

    • 8EWF06S

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK.

    • 8EWF06STRL

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK.

    • 8EWF02S

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 8A DPAK.