IXYS - IXTH200N10T

KEY Part #: K6409160

IXTH200N10T Τιμολόγηση (USD) [14773τεμ]

  • 1 pcs$3.06727
  • 10 pcs$2.75966
  • 100 pcs$2.26899
  • 500 pcs$1.90103
  • 1,000 pcs$1.65573

Αριθμός εξαρτήματος:
IXTH200N10T
Κατασκευαστής:
IXYS
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 200A TO-247.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ and Θυρίστορ - SCRs ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα IXYS IXTH200N10T. Το IXTH200N10T μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IXTH200N10T, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH200N10T Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IXTH200N10T
Κατασκευαστής : IXYS
Περιγραφή : MOSFET N-CH 100V 200A TO-247
Σειρά : TrenchMV™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 100V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 200A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 152nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 9400pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 550W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-247 (IXTH)
Πακέτο / Θήκη : TO-247-3

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • VP2106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.

  • PSMN8R0-40PS,127

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET N-CH 40V 77A TO220AB.

  • SCT2120AFC

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB.

  • IRFS3004TRL7PP

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK7.

  • IRF1404ZSTRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK.

  • NTB85N03

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK.