STMicroelectronics - STD7N80K5

KEY Part #: K6417759

STD7N80K5 Τιμολόγηση (USD) [40701τεμ]

  • 1 pcs$0.96066
  • 2,500 pcs$0.85024

Αριθμός εξαρτήματος:
STD7N80K5
Κατασκευαστής:
STMicroelectronics
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 800V 6A DPAK.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα STMicroelectronics STD7N80K5. Το STD7N80K5 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το STD7N80K5, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD7N80K5 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : STD7N80K5
Κατασκευαστής : STMicroelectronics
Περιγραφή : MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
Σειρά : SuperMESH5™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 800V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 6A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 100µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 13.4nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 360pF @ 100V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 110W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : DPAK
Πακέτο / Θήκη : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • FDD13AN06A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK.

  • IRFR3607TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 75V 56A DPAK.

  • SPA11N65C3XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11A TO-220.

  • TK8A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS.

  • IRLMS2002TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP.

  • IRLMS1902TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP.