Αριθμός εξαρτήματος :
IPW60R105CFD7XKSA1
Κατασκευαστής :
Infineon Technologies
Περιγραφή :
HIGH POWERNEW
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
600V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
21A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
105 mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 470µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
42nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
1752pF @ 400V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
106W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
PG-TO247-3-41