Αριθμός εξαρτήματος :
DMG4812SSS-13
Κατασκευαστής :
Diodes Incorporated
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
8A (Ta)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15 mOhm @ 10.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
18.5nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
1849pF @ 15V
FET χαρακτηριστικό :
Schottky Diode (Body)
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
1.54W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
8-SO
Πακέτο / Θήκη :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)