Αριθμός εξαρτήματος :
IPB085N06L G
Κατασκευαστής :
Infineon Technologies
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
Κατάσταση εξαρτήματος :
Obsolete
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
60V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
80A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 125µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
104nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
3500pF @ 30V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
188W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
PG-TO263-3-2
Πακέτο / Θήκη :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB