Αριθμός εξαρτήματος :
BYC8B-600PQP
Κατασκευαστής :
NXP USA Inc.
Περιγραφή :
DIODE GEN PURP 600V 8A
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
600V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) :
8A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
3.4V @ 8A
Ταχύτητα :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
18ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
20µA @ 600V
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
D2PAK
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
175°C (Max)