Αριθμός εξαρτήματος :
FDN537N
Κατασκευαστής :
ON Semiconductor
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 30V 6.5A SSOT-3
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
6.5A (Ta), 6.5A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
8.4nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
465pF @ 15V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
1.5W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
SuperSOT-3
Πακέτο / Θήκη :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3