NXP USA Inc. - BUK9E04-30B,127

KEY Part #: K6414228

[12828τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    BUK9E04-30B,127
    Κατασκευαστής:
    NXP USA Inc.
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα NXP USA Inc. BUK9E04-30B,127. Το BUK9E04-30B,127 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το BUK9E04-30B,127, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BUK9E04-30B,127 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : BUK9E04-30B,127
    Κατασκευαστής : NXP USA Inc.
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
    Σειρά : TrenchMOS™
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 75A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 mOhm @ 25A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 56nC @ 5V
    Vgs (Max) : ±15V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 6526pF @ 25V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 254W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : I2PAK
    Πακέτο / Θήκη : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • IRFR5505

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.

    • IRFR9120NTRR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK.

    • IRFR9120NTRL

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK.

    • IRFR9024NTRR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 55V 11A DPAK.

    • IRFR9024NTRL

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 55V 11A DPAK.

    • IRFR9014N

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK.