Taiwan Semiconductor Corporation - TSM300NB06CR RLG

KEY Part #: K6409670

TSM300NB06CR RLG Τιμολόγηση (USD) [378506τεμ]

  • 1 pcs$0.09772

Αριθμός εξαρτήματος:
TSM300NB06CR RLG
Κατασκευαστής:
Taiwan Semiconductor Corporation
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Δίοδοι - RF, Μονάδες οδηγού ισχύος, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Taiwan Semiconductor Corporation TSM300NB06CR RLG. Το TSM300NB06CR RLG μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το TSM300NB06CR RLG, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM300NB06CR RLG Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : TSM300NB06CR RLG
Κατασκευαστής : Taiwan Semiconductor Corporation
Περιγραφή : MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 60V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 6A (Ta), 27A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 18nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 1110pF @ 30V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 8-PDFN (5x6)
Πακέτο / Θήκη : 8-PowerTDFN

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • FDD86326

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 80V TRENCH DPAK.

  • FDD8874

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 116A D-PAK.

  • FDD86102

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 8A DPAK.

  • FDD6530A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 21A D-PAK.

  • FQD30N06TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK-3.

  • FQD7P06TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK.