Vishay Siliconix - SI4196DY-T1-GE3

KEY Part #: K6393710

SI4196DY-T1-GE3 Τιμολόγηση (USD) [316935τεμ]

  • 1 pcs$0.11729
  • 2,500 pcs$0.11670

Αριθμός εξαρτήματος:
SI4196DY-T1-GE3
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ and Θυρίστορ - SCRs ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SI4196DY-T1-GE3. Το SI4196DY-T1-GE3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SI4196DY-T1-GE3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4196DY-T1-GE3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : SI4196DY-T1-GE3
Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
Περιγραφή : MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC
Σειρά : TrenchFET®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 20V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 8A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 22nC @ 8V
Vgs (Max) : ±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 830pF @ 10V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 2W (Ta), 4.6W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 8-SO
Πακέτο / Θήκη : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • FCD5N60-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK.

  • IXTY02N50D

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK.

  • FDD4141

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK.

  • FDD770N15A

    ON Semiconductor

    MOSFET N CH 150V 18A DPAK.

  • IRFIBC40G

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP.

  • IRFI820G

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220FP.