IXYS - IXFH150N20T

KEY Part #: K6394779

IXFH150N20T Τιμολόγηση (USD) [8467τεμ]

  • 1 pcs$5.38083
  • 60 pcs$5.35406

Αριθμός εξαρτήματος:
IXFH150N20T
Κατασκευαστής:
IXYS
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 200V 150A TO-247.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Μονάδες οδηγού ισχύος and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα IXYS IXFH150N20T. Το IXFH150N20T μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IXFH150N20T, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH150N20T Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IXFH150N20T
Κατασκευαστής : IXYS
Περιγραφή : MOSFET N-CH 200V 150A TO-247
Σειρά : HiPerFET™, TrenchT2™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 200V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 150A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 177nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 11700pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 890W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-247AD (IXFH)
Πακέτο / Θήκη : TO-247-3