IXYS - VMO1200-01F

KEY Part #: K6397731

VMO1200-01F Τιμολόγηση (USD) [623τεμ]

  • 1 pcs$78.23939
  • 10 pcs$73.12420
  • 25 pcs$70.56740

Αριθμός εξαρτήματος:
VMO1200-01F
Κατασκευαστής:
IXYS
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 1245A Y3-LI.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος and Θυρίστορ - SCRs ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα IXYS VMO1200-01F. Το VMO1200-01F μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το VMO1200-01F, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VMO1200-01F Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : VMO1200-01F
Κατασκευαστής : IXYS
Περιγραφή : MOSFET N-CH 100V 1245A Y3-LI
Σειρά : HiPerFET™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 100V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 1220A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.35 mOhm @ 932A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 64mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 2520nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : -
Θερμοκρασία λειτουργίας : -40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Chassis Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : Y3-Li
Πακέτο / Θήκη : Y3-Li

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK58A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 58A TO-220.

  • TK34A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 34A TO-220.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.