Vishay Siliconix - SIS427EDN-T1-GE3

KEY Part #: K6416238

SIS427EDN-T1-GE3 Τιμολόγηση (USD) [306526τεμ]

  • 1 pcs$0.12067
  • 3,000 pcs$0.11355

Αριθμός εξαρτήματος:
SIS427EDN-T1-GE3
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ and Δίοδοι - RF ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SIS427EDN-T1-GE3. Το SIS427EDN-T1-GE3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SIS427EDN-T1-GE3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIS427EDN-T1-GE3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : SIS427EDN-T1-GE3
Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
Περιγραφή : MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8
Σειρά : TrenchFET®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : P-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 50A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.6 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 66nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 1930pF @ 15V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PowerPAK® 1212-8
Πακέτο / Θήκη : PowerPAK® 1212-8

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • IRF5803TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

  • IRF5802TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

  • BS170

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • IRFR5305TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 31A DPAK.

  • PSMN5R0-80PS,127

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB.

  • FDG311N

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6.