Αριθμός εξαρτήματος :
SIA416DJ-T1-GE3
Κατασκευαστής :
Vishay Siliconix
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
100V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
11.3A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
83 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
10nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
295pF @ 50V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
PowerPAK® SC-70-6 Single
Πακέτο / Θήκη :
PowerPAK® SC-70-6