Αριθμός εξαρτήματος :
SISS72DN-T1-GE3
Κατασκευαστής :
Vishay Siliconix
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 150V
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
150V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
7A (Ta), 25.5A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
42 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
22nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
550pF @ 75V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
PowerPAK® 1212-8S
Πακέτο / Θήκη :
PowerPAK® 1212-8S