Diodes Incorporated - DMT6012LSS-13

KEY Part #: K6400577

[3349τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    DMT6012LSS-13
    Κατασκευαστής:
    Diodes Incorporated
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 60V8SOIC.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Τρανζίστορ - JFET, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Δίοδοι - RF and Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Diodes Incorporated DMT6012LSS-13. Το DMT6012LSS-13 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το DMT6012LSS-13, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    DMT6012LSS-13 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : DMT6012LSS-13
    Κατασκευαστής : Diodes Incorporated
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 60V8SOIC
    Σειρά : -
    Κατάσταση εξαρτήματος : Active
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 60V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 10.4A (Ta)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 10A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 22.2nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 1522pF @ 30V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 1.2W (Ta)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 8-SO
    Πακέτο / Θήκη : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • FQD3P50TM-F085

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK.

    • IRFU9024PBF

      Vishay Siliconix

      MOSFET P-CH 60V 8.8A I-PAK.

    • CSD18536KCS

      Texas Instruments

      MOSFET N-CH 60V 200A TO-220-3.

    • CSD17575Q3T

      Texas Instruments

      MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON.

    • CSD17555Q5A

      Texas Instruments

      MOSFET N-CH 30V 100A 8SON.

    • CSD19536KTT

      Texas Instruments

      MOSFET N-CH 100V 200A TO263.