Vishay Siliconix - SIDR402DP-T1-GE3

KEY Part #: K6418643

SIDR402DP-T1-GE3 Τιμολόγηση (USD) [71648τεμ]

  • 1 pcs$0.54573

Αριθμός εξαρτήματος:
SIDR402DP-T1-GE3
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CHAN 40V PPSO-8DC.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Μονάδες οδηγού ισχύος, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - JFET, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SIDR402DP-T1-GE3. Το SIDR402DP-T1-GE3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SIDR402DP-T1-GE3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIDR402DP-T1-GE3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : SIDR402DP-T1-GE3
Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
Περιγραφή : MOSFET N-CHAN 40V PPSO-8DC
Σειρά : TrenchFET® Gen IV
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 40V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 64.6A (Ta), 100A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.88 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 165nC @ 10V
Vgs (Max) : +20V, -16V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 9100pF @ 20V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PowerPAK® SO-8DC
Πακέτο / Θήκη : PowerPAK® SO-8

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • IXTU5N50P

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252.

  • FDD8896

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

  • IXTY24N15T

    IXYS

    MOSFET N-CH 150V 24A TO-252.

  • IXTY15N20T

    IXYS

    MOSFET N-CH 200V 15A TO-252.

  • TK7A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220SIS.

  • IPA65R380C6XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220.