Infineon Technologies - IPI075N15N3GXKSA1

KEY Part #: K6398078

IPI075N15N3GXKSA1 Τιμολόγηση (USD) [14773τεμ]

  • 1 pcs$2.56047
  • 10 pcs$2.28591
  • 100 pcs$1.87456
  • 500 pcs$1.51794
  • 1,000 pcs$1.28019

Αριθμός εξαρτήματος:
IPI075N15N3GXKSA1
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF and Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IPI075N15N3GXKSA1. Το IPI075N15N3GXKSA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IPI075N15N3GXKSA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPI075N15N3GXKSA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IPI075N15N3GXKSA1
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
Σειρά : OptiMOS™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 150V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 270µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 93nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 5470pF @ 75V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 300W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-TO262-3
Πακέτο / Θήκη : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • 2N7008-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

  • VN4012L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.16A TO92-3.

  • R8010ANX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 10A TO220.

  • TK9A90E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 900V TO220SIS.

  • RCX080N25

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 8A TO220.

  • TK28A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 27.6A TO-220SIS.