Vishay Siliconix - SI7852DP-T1-E3

KEY Part #: K6419223

SI7852DP-T1-E3 Τιμολόγηση (USD) [88646τεμ]

  • 1 pcs$0.44109
  • 3,000 pcs$0.37191

Αριθμός εξαρτήματος:
SI7852DP-T1-E3
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Δίοδοι - RF, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF and Θυρίστορες - DIAC, SIDAC ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SI7852DP-T1-E3. Το SI7852DP-T1-E3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SI7852DP-T1-E3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7852DP-T1-E3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : SI7852DP-T1-E3
Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
Περιγραφή : MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Σειρά : TrenchFET®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 80V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 7.6A (Ta)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA (Min)
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 41nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 1.9W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PowerPAK® SO-8
Πακέτο / Θήκη : PowerPAK® SO-8