Αριθμός εξαρτήματος :
IPL60R650P6SATMA1
Κατασκευαστής :
Infineon Technologies
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
600V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
6.7A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
650 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 200µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
12nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
557pF @ 100V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
56.8W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
8-ThinPak (5x6)
Πακέτο / Θήκη :
8-PowerTDFN