Αριθμός εξαρτήματος :
SI3473DDV-T1-GE3
Κατασκευαστής :
Vishay Siliconix
Περιγραφή :
MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
Σειρά :
TrenchFET® Gen III
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
12V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
8A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
17.8 mOhm @ 8.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
57nC @ 8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
1975pF @ 6V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
3.6W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
6-TSOP
Πακέτο / Θήκη :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6