Infineon Technologies - IPI60R520CPAKSA1

KEY Part #: K6407193

[1057τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    IPI60R520CPAKSA1
    Κατασκευαστής:
    Infineon Technologies
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-262.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Δίοδοι - RF, Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας and Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IPI60R520CPAKSA1. Το IPI60R520CPAKSA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IPI60R520CPAKSA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPI60R520CPAKSA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : IPI60R520CPAKSA1
    Κατασκευαστής : Infineon Technologies
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-262
    Σειρά : CoolMOS™
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 600V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 6.8A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 520 mOhm @ 3.8A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 340µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 31nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 630pF @ 100V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 66W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-TO262-3
    Πακέτο / Θήκη : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • ZVP3310A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3.

    • ZVN4306AV

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.

    • ZVN4210A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3.

    • SN7002NL6433HTMA1

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23.

    • SN7002W L6433

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323.

    • SN7002W L6327

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323.