Αριθμός εξαρτήματος :
SIHB33N60EF-GE3
Κατασκευαστής :
Vishay Siliconix
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
600V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
33A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
98 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
155nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
3454pF @ 100V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
278W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
D²PAK (TO-263)
Πακέτο / Θήκη :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB