Αριθμός εξαρτήματος :
IPD050N10N5ATMA1
Κατασκευαστής :
Infineon Technologies
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
100V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
80A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 84µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
64nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
4700pF @ 50V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
150W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
PG-TO252-3
Πακέτο / Θήκη :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63