Αριθμός εξαρτήματος :
SIHH068N60E-T1-GE3
Κατασκευαστής :
Vishay Siliconix
Περιγραφή :
MOSFET N-CHAN 600V POWERPAK 8X8
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
600V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
34A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
68 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
80nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
2650pF @ 100V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
202W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
PowerPAK® 8 x 8
Πακέτο / Θήκη :
8-PowerTDFN