Αριθμός εξαρτήματος :
FCP11N60N-F102
Κατασκευαστής :
ON Semiconductor
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
600V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
10.8A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
299 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
35.6nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
1505pF @ 100V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
94W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
TO-220F
Πακέτο / Θήκη :
TO-220-3 Full Pack