Vishay Siliconix - SIR472DP-T1-GE3

KEY Part #: K6401668

SIR472DP-T1-GE3 Τιμολόγηση (USD) [2970τεμ]

  • 3,000 pcs$0.12616

Αριθμός εξαρτήματος:
SIR472DP-T1-GE3
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC and Θυρίστορ - SCRs ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SIR472DP-T1-GE3. Το SIR472DP-T1-GE3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SIR472DP-T1-GE3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR472DP-T1-GE3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : SIR472DP-T1-GE3
Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
Περιγραφή : MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
Σειρά : TrenchFET®
Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 23nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 820pF @ 15V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PowerPAK® SO-8
Πακέτο / Θήκη : PowerPAK® SO-8

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • ZVN4310A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 0.9A TO92-3.

  • VN0104N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3.

  • TN5325N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3.

  • SI1471DH-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6.

  • IRF2204SPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 170A D2PAK.

  • IRF4104SPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK.