IXYS - IXFH9N80Q

KEY Part #: K6416098

IXFH9N80Q Τιμολόγηση (USD) [12099τεμ]

  • 1 pcs$3.76527
  • 30 pcs$3.74654

Αριθμός εξαρτήματος:
IXFH9N80Q
Κατασκευαστής:
IXYS
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 800V 9A TO-247.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Δίοδοι - RF, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto and Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα IXYS IXFH9N80Q. Το IXFH9N80Q μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IXFH9N80Q, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH9N80Q Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IXFH9N80Q
Κατασκευαστής : IXYS
Περιγραφή : MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
Σειρά : HiPerFET™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 800V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 9A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.1 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 2200pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 180W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-247AD (IXFH)
Πακέτο / Θήκη : TO-247-3

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει