Infineon Technologies - IPD60R1K5CEATMA1

KEY Part #: K6415965

[12227τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    IPD60R1K5CEATMA1
    Κατασκευαστής:
    Infineon Technologies
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 600V TO-252-3.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία and Θυρίστορ - SCRs ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IPD60R1K5CEATMA1. Το IPD60R1K5CEATMA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IPD60R1K5CEATMA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPD60R1K5CEATMA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : IPD60R1K5CEATMA1
    Κατασκευαστής : Infineon Technologies
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 600V TO-252-3
    Σειρά : CoolMOS™ CE
    Κατάσταση εξαρτήματος : Discontinued at Digi-Key
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 600V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 3.1A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 1.1A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 90µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 9.4nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 200pF @ 100V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 28W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-252-3
    Πακέτο / Θήκη : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • ZVNL110A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

    • VN10LP

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

    • IRLR2905TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • IRLR2703TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 23A DPAK.

    • IRFR024NTRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

    • IRFR120NTRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK.