Αριθμός εξαρτήματος :
APTM10HM09FT3G
Κατασκευαστής :
Microsemi Corporation
Περιγραφή :
MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τύπος FET :
4 N-Channel (H-Bridge)
FET χαρακτηριστικό :
Standard
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
100V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
139A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 2.5mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
350nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
9875pF @ 25V
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Chassis Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
SP3