Αριθμός εξαρτήματος :
1N3070_T50R
Κατασκευαστής :
ON Semiconductor
Περιγραφή :
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35
Κατάσταση εξαρτήματος :
Obsolete
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
200V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) :
500mA
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
1V @ 100mA
Ταχύτητα :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
50ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
100nA @ 175V
Χωρητικότητα @ Vr, F :
5pF @ 0V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης :
Through Hole
Πακέτο / Θήκη :
DO-204AH, DO-35, Axial
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
DO-35
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
175°C (Max)