Αριθμός εξαρτήματος :
IRFBE30LPBF
Κατασκευαστής :
Vishay Siliconix
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
800V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
4.1A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
78nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
1300pF @ 25V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
125W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
I2PAK
Πακέτο / Θήκη :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA